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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.65: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Änderung der Elektronendichte in einem 2D-Elektronengas durch Anlegen einer Spannung: Nachweis mit inelastischer Lichtstreuung — •M. Danckwerts¹, A.R. Goñi¹, K. Eberl² und C. Thomsen¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart

In einer modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Einzelquantentopf-Struktur wurden kollektive Anregungen (Plasmonen, Ladungsträger- und Spindichteanregungen) des 2D-Elektronengases (2DEG) sowie dessen Einteilchenanregungen mit inelastischer Lichtstreuung nachgewiesen. Durch Anlegen einer Gatespannung zwischen einer aufgedampften Metallschicht und einem Rückkontakt konnte die Ladungstrgerdichte im 2DEG modifiziert werden. Dies macht sich in den inelastischen Lichtstreuspektren durch Verschiebung der Energien der elementaren Anregungen bemerkbar. Durch Vergleich dieser Werte mit solchen aus druckabhängigen Messungen, für die die Elektronendichte als Funktion des Druckes bestimmt worden ist, werden quantitative Aussagen über Variationen der Elektronendichte mit der Spannung gemacht.