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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.66: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Direkte ESR an zweidimensionalen Elektronengasen in den Systemen SiGe/Si und InAlAs/InGaAs — •C. Weinzierl¹, N. Nestle² und G. Denninger¹ — ¹2. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart — ²Sektion Kernresonanzspektroskopie, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 11, D-89069 Ulm

Niederdimensionale Elektronensysteme in Halbleitern (z.B. QW, Heterostrukturen) sind im Rahmen der magnetischen Resonanz bislang nur indirekt untersucht worden - die Systeme wurden optisch gepumpt, die Resonanz wurde optisch oder elektrisch nachgewiesen. Ein Vorteil der direkten ESR-Absorptionsmessung ist der quantitative Zugang zu Spinsuszeptibilität, Linienbreiten, Relaxationszeiten und die hohe Genauigkeit der g-Faktor-Bestimmung. Wir präsentieren temperaturabhängige Messungen der Elektronenspin-Relaxationszeiten T₁, T₂, der Elektron-g-Faktoren, der dynamischen Kernspin-Polarisation (DNP) sowie der Kernspin-Diffusion. Im System SiGe/Si sind die T₁-Zeiten vergleichsweise lang, wahrscheinlich bedingt durch die hohen Elektronen-Beweglichkeiten. Darüber hinaus werden in der ESR-Anlage Magnetooszillationen schon im Feldbereich um 1 T deutlich sichtbar und können zur kontaktlosen Bestimmung der Fermienergien ausgewertet werden.