Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.7: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Druckabhängigkeit des off-resonance Raman-Spektrums erster
Ordnung von Halbleitern — •B. Steininger, G. Deinzer, M. Schmitt, P. Pavone und D. Strauch — Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg

Das Verhalten von Halbleitern unter Druck hat in den letzten Jahren viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen, vor allem aufgrund der Fülle der Information, die man durch druckabhängige Meßungen erhalten kann. Raman-Meßungen sind in diesem Zusammenhang besonders bedeutsam, da sie verhältnismäßig unaufwendig sind und zudem Frequenz- und Intensitätsverschiebungen des zugehörigen Spektrums Schlüsse über die elektronische Struktur des zugrundeliegenden Materials zulassen. Im off-resonance Bereich wird der Einfluß des Drucks auf das Spektrum durch die Druckabhängigkeit der Phononen-Energien und der dielektrischen Suszeptibilität bzw. der Raman-Tensoren beschrieben. Ziel unserer Arbeiten ist ein theoretischer Zugang zu Raman-Spektren erster Ordnung unter Druck von verschiedenen III-V und Gruppe IV-Halbleitern. Unsere Berechnungen basieren dabei auf Dichte-Funktional-Störungstheorie. Die Druckabhängigkeit der dabei benötigten Größen beschreiben wir mittels der Murnaghan-Zustandsgleichung durch ihre Volumenabhängigkeit. Wir erhalten Druckabhängigkeiten der Γ-Punkt-Frequenzen, der Dielektrizitätskonstanten, der effektiven Ladungen sowie der Raman-Tensoren. Letztere berechnen wir mit frozen-phonon-Rechnungen bzw. mittels des 2n+1-Theorems. Unsere Ergebnisse zeigen gute Übereinstimmung mit dem Experiment.