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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.77: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Charakterisierung und Modifikation von thermisch aufgedampften SiOx-Dünnschichten auf Si Substraten — •U. Kahler und H. Hofmeister — MPI für Mikrostrukturphysik, D-06120 Halle
Durch Sublimation von kommerziell erhältlichem SiO-Granulat im Hochvakuum wurden dünne SiOx Schichten auf (100) Si-Wafern abgeschieden. Der Sauerstoffgehalt des SiOx (0< x <2) hängt stark vom Vakuum und der Aufdampfrate ab. Bei nachfolgender Temperaturbehandlung in sauerstofffreier Umgebung erfolgt eine Phasenseparation unter Bildung von Si-Nanopartikeln in einer SiO2-Umgebung. Dies wurde mittels IR-Spektroskopie und HRTEM-Untersuchungen beobachtet. An den enstandenen Nanopartikeln wurden Photolumineszensmessungen vorgenommen. Die Mikrorauhigkeit der Oberfläche wurde mit AFM untersucht. Um die Schichten gegen Umwelteinflüsse und Anreicherung von Wasser zu schützen, ist es bei entsprechender Oberflächenbeschaffenheit möglich durch Waferbonden vergrabene SiOx-Schichten herzustellen.