Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.79: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Elektronische und optische Eigenschaften von geschmolzenem Silizium – Berechnung ohne Molekulardynamik — •M.S.K. Fuchs — Institut für Technische Physik, DLR Stuttgart, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart

Die Kenntnis der optischen Eigenschaften des Siliziums im geschmolzenen Zustand ist wichtig zur Optimierung von Lasermaterialbearbeitungsprozessen. Dort spielt vor allem das Absorptionsverhalten eine große Rolle. Auch zur Beobachtung von schnellen Phasenübergängen bei Femtosekunden-Laserpulsen müssen die optischen Konstanten sowohl im festen als auch im (metallischen) geschmolzenen Silizium bekannt sein.

Hier werden die elektronische Zustandsdichte und die darauf beruhenden optischen Eigenschaften des flüssigen Siliziums berechnet. Da einerseits die üblichen Methoden der Festkörperphysik für ungeordnete Systeme im allgemeinen nicht mehr anwendbar sind und andererseits Molekulardynamik-Simulationen sehr rechenzeitintensiv sind, wird hier ein Verfahren benutzt, das bei gegebener Paarverteilungsfunktion direkt gemittelte (effektive) Größen bestimmt. Da die zugrundeliegende LCAO-Basis mindestens auch p-Orbitale enthält, muß die Winkelabhängigkeit der Tight-Binding-Funktionen (z.B. Hamiltonmatrixelemente) berücksichtigt werden, über die nachträglich gemittelt werden kann.