Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.8: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:15–12:30, H2

Einfluß der Dotierung auf die Gitterdynamik von GaN — •A. Kaschner¹, H. Siegle¹, A. Hoffmann¹, C. Thomsen¹, U. Birkle², S. Einfeldt² und D. Hommel² — ¹Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut f. Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Wir präsentieren Ergebnisse von Raman–Streuexperimenten an

dotierten GaN–Schichten, die mit der Methode der

Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt wurden. Die

untersuchten Proben sind unterschiedlich stark mit Si, C

bzw. Mg dotiert. Unsere Experimente zeigen, welchen Einfluß

die unterschiedlichen Dotierstoffe auf die Gitterdynamik des GaN

haben. Insbesondere der Zusammenhang zwischen Dotierung, freier

Ladungsträgerdichte und biaxialer Verspannung wurde untersucht.

Weiterhin berichten wir *ber lokale Moden (LVM) in stark

Magnesium dotiertem GaN. Sowohl im Bereich der GaN Phononen,

als auch im hochenergetischen Bereich um 2200 cm⁻¹ finden

wir LVM, deren Intesität mit der Mg–Konzentration korreliert.

Zur Bestimmung der Magnesiumkonzentration wurde

Sekundärionen–Massenspektroskopie (SIMS) angewendet.