Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Photovoltaik I

HL 2.2: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 10:45–11:00, H1

Transport in a-Si/c-Si Heterostruktursolarzellen — •N. Jensen, U. Rau, R. M. Hausner, S. Uppal, R. Dassow, L. Oberbeck, J. R. Köhler, R. B. Bergmann und J. H. Werner — Universität Stuttgart

Solarzellen mit einem ladungstrennenden Übergang aus amorphem und kristallinem Silizium haben ein großes Wirkungsgradpotential und können ohne Hochtemperaturprozesse hergestellt werden. Deshalb verspricht dieses Solarzellenkonzept eine kostengünstige Herstellung von effizienten Solarzellen. Der Wirkungsgrad dieser Heterostruktursolarzellen wird maßgeblich begrenzt durch die Materialqualität der kristallinen Absorberschicht. Wir untersuchen die elektrischen Eigenschaften von Solarzellen mit einer wenige Nanometer dicken amorphen Siliziumschicht auf Absorberschichten aus mono-, multi- und polykristallinem Silizium. Dazu dienen sowohl interne Quantenausbeutemessungen als auch Strom-Spannungskennlinien in Abhängigkeit von der Temperatur. Die aus diesen Meßmethoden gewonnenen Diffusionslängen und Idealitätsfaktoren geben Aufschluß über die Materialqualität der Absorberschicht und über die Leerlaufspannung begrenzende Rekombinationsmechanismen.