Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Photovoltaik I
HL 2.5: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 11:30–11:45, H1
Oberfl"achenbehandlung von CuGaSe2 Absorbern mit InGaSe zur Untersuchung des Einflusses von Gitterfehlanpassungen an der Absorberoberfl"ache — •T. Dullweber1, M. Contreras2, R. Noufi2, and H.W. Schock1 — 1Institut f"ur Physikalische Elektronik, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart — 2National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA
Der Einflu"s einer m"oglichen Gitterfehlanpassung an der Absorberoberfl"ache zwischen der Cu(In,Ga)3Se5 Defektphase und der Cu(In,Ga)Se2 Volumenphase wird diskutiert. Fr"uhere Ver"offentlichungen [1] zeigen eine solche Gitterfehlanpassung bei Cu(In,Ga)Se2 Absorbern mit homogenem Ga-Gehalt und beschreiben auch deren negativen Einflu"s auf die Solarzellen. Bisher fehlt jedoch der Nachweis der erh"ohten Defektdichte und deren Auswirkung auf die Solarzellenleistung. Um hier einen tieferen Einblick zu gewinnen, wurden CuGaSe2 Absorber pr"apariert und in einem nachfolgenden Schritt mit InGaSe variabler Dicke (100-400nm) bedampft, um so die Oberfl"achenzusammensetzung geziehlt einzustellen und eine Gitteranpassung zwischen den beiden Phasen zu erreichen. Die Charakterisierung erfolgte mit Augertiefenprofilen und R"ontgenbeugung an den Absorbern und Strom-Spannungscharakteristik, Quantenausbeute und Defektspektren an den Solarzellen. Die Solarzellenparameter zeigen eine starke Abh"angigkeit von der Nachbedampfung mit InGaSe, welches hier mit den analytischen Daten erkl"art werden soll.
[1] M.A.Contreras et. al. , Solar Energy Materials and Solar Cells 49 (1997) 239-47