Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 2: Photovoltaik I
HL 2.7: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 12:00–12:15, H1
Oberflächenmodifikation von CuInGaSe2 durch Schwefel — •I. Kötschau, A. Jasenek, U. Rau und H. W. Schock — Institut für Physikalische Elektronik, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart
Dünnschichtsolarzellen mit Absorberschichten aus Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)
haben bereits höchste Wirkungsgrade gezeigt und stehen kurz vor der
industriellen Serienfertigung. In diesem Beitrag wird der Einfluss von
Schwefel an der Absorberoberfläche bei CIGS-Absorbern auf deren
Struktur und
elektronischen Eigenschaften untersucht. Aus elektronischen Messungen
[1] ist bekannt, dass unter dem Einfluss von Schwefel Defekte in der
Raumladungszone
kompensiert werden. Darüber hinaus kann durch den Einbau von Schwefel
die Gitterkonstante des Absorbers an diejenige der Pufferschicht
angepasst werden, um so ebenfalls die Defektdichte an der Grenzfläche
zu minimieren. Ein weiterer Effekt von Schwefel besteht in der Erhöhung
der Leerlaufspannung durch eine in
Raumladungszone erhöhte Bandlücke. Es werden zwei Verfahren des
oberflächennahen Schwefeleinbaus verglichen: zum einen durch
Koverdampfung während der Absorberdeposition und zum anderen durch
einen Nachschwefelungs-Schritt bei atmosphärischen Drücken.
Strukturelle Daten, die mit Grazing Incidence Röntgendiffraktometrie
und Tiefenprofilen aus Sekudärionen-Massenspektrometrie gewonnen
wurden, werden mit elektronischen Messungen der Quantenausbeute und
Strom-Spannungs-Kennlinien korreliert.
[1] U. Rau, M. Schmitt, D. Hilburger, F. Engelhart, O.
Seifert, and J. Parisi, 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (IEEE, Piscataway,1996)