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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.7: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 17:30–17:45, H2

TEM Untersuchung der chemischen Konvertierung von Si zu SiC durch RTP — •W. Attenberger1, J. Pezoldt2, J.K.N. Lindner1 und B. Stritzker11Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg — 2TU Ilmenau, Institut für Festkörperelektronik, 98684 Ilmenau

Rapid Thermal Processing ist ein erfolgversprechender Ansatz zur Bildung dünner SiC Filme auf Si Substraten. Hierbei wird in einem ersten Schritt die Si Oberfläche unter Verwendung von C3H8 karbonisiert. In einem nachfolgenden CVD Prozess erfolgt das Schichtwachstum unter Verwendung von C3H8 und SiH4. In dieser Arbeit wird mittels Hochauflösungs Elektronenmikroskopie die Morphologie der SiC Keimschicht in verschiedenen Phasen des Karbonisierungsschrittes untersucht. Die Ergebnisse werden mit denen aus früheren Ellipsometrie, RHEED und AFM Untersuchungen verglichen. Das daraus entwickelte Wachstumsmodell wird überprüft.

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