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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.3: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 16:30–16:45, H4

Hoch ortsaufgelöste optische Untersuchungen einzelner InGaAs und InP Quantenpunkte — •F. Findeis¹, M. Markmann¹, A. Zrenner¹, G. Böhm.¹, G. Abstreiter¹, M. Zundel² und K. Eberl² — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart

Die Größenfluktuation und die hohe Dichte von Quantenpunkten, die im Stranski-Krastanov Wachstumsmodus hergestellt wurden, führt zu einer inhomogenen Linienverbreiterung in der Größenordnung einiger 10 meV. Die laterale Strukturierung mittels Elektronenstrahllithographie mit anschließendem trockenchemischen Ätzprozeß erlaubt die Untersuchung einzelner Quantenpunkte. Es wurden sowohl Mesastrukturen als auch Aluminium-Schattenmasken mit Strukturgrößen von 100 nm bis 500 nm untersucht. Die universelle Verwendbarkeit der Schattenmaskentechnik wird hier am Beispiel zweier Materialsysteme demonstriert: InGaAs Dots auf GaAs und InP Dots auf InGaP. In leistungsabhängigen PL Messungen können Exziton, Biexziton und angeregte Zustände deutlich unterschieden werden. Zur weiteren Charakterisierung der verschiedenen Zustände wurden magneto-PL und -PLE Messungen durchgeführt.