Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III
HL 22.4: Talk
Tuesday, March 23, 1999, 16:45–17:00, H4
Temperaturabhängiger Ladungsträgereinfang in selbstorganisierte InAs/GaAs Quantenpunkte — •Robert Heitz1, Ildar Mukhametzhanov2, Anupam Madhukar2, Axel Hoffmann1 und Dieter Bimberg1 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — 2Department of Materials Science and Engineering, University of Southern California, Los Angeles
Selbstorganisierte III-V Quantenpunkte mit Dimensionen im Nanometerbereich werden intensiv in bezug auf Anwendungsmöglichkeiten hin erforscht. Eine entscheidende Rolle kommt dabei der bisher wenig untersuchten Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdynamik in solchen nulldimensionalen Halbleiterstrukturen zu.
Wir berichten über Ergebnisse von Photolumineszenz- (PL), anregungspektroskopischen sowie zeitaufgelösten PL Untersuchungen, die in Abhängigkeit von der Temperatur an selbstorganisierten InAs/GaAs Quantenpunkten unterschiedlicher Größe durchgeführt wurden. Es zeigt sich, daß die beobachtete Abnahme der integrierten PL Intensität oberhalb von etwa 130K (abhängig von der Quantenpunktgröße) auf eine abnehmende Anregungseffizienz zurückzuführen ist. Die beobachtete Temperaturabhängkeit der Grundzustandslebensdauer reflektiert die thermischen Besetzung der diskreten angeregten Zustände und zeigt, daß die Emission von Ladungsträgern aus dem Grundzustand erst oberhalb von 200K zu einer Abnahme der Lebensdauer führt. Aus Anregungsmessungen schließen wir, daß mit zunehmender Temperatur die thermische Emission von Ladungsträgern aus angeregten Zuständen die Ladungsträgerdynamik bestimmt.