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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.101: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Stabilität von a-Si:H Dünnschichttransistoren — •R.B. Wehrspohn, S.C. Deane und M.J. Powell — Philips Research Laboratories, Redhill, Surrey, RH1 5HA, U.K.

Dünnschichttransistoren aus amorphem Silizium weisen nach längerem gate-bias eine Verschiebung der Schwellenspannung auf. Dieses Phänomen, ähnlich dem Staebler- Wronski-Effekt in a-Si:H Solarzellen, beruht auf der Erzeugung von metastabilen Defektzuständen. Wir zeigen, daßdie Barriere dafür zwischen 0.9 und 1 eV liegt, abhängig von den Depositionbedingungen des amorphen Siliziums. Korrelationen der Metastabilität der Transistoren zu bulk Parametern wie Urbachenergie, Wasserstoffgehalt, etc. werden beschrieben und anhand dessen Reaktionen zur Defekterzeugung diskutiert.