Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.16: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Selbstjustierender Prozeß zur Herstellung steuerbarer Aharonov-Bohm-Ringe — •B. Krafft, Th. Schäpers, A. van der Hart, A. Förster und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH
In strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen an der Grenzfläche von Halbleiterheterostrukturen können Elektroneninterferenzeffekte beobachtet werden, wenn die Strukturabmessungen kleiner als die Phasenkohärenzlänge sind.
Die verwendeten Ringstrukturen zur Untersuchung des Aharonov-Bohm-Effektes werden im Materialsystem Al0.3Ga0.7As/GaAs durch naßchemisches Ätzen hergestellt. Die Ätzmaske aus Titan wird mittels Elektronenstrahllithographie definiert. In einem nachfolgenden selbstjustierenden Prozeß dient dieselbe Titanstruktur als Schattenmaske zur Präparation von Gates. Die Strukturierung der Gates erfolgt durch eine zweite Elektronenstrahllithographie. Mit diesem Verfahren können einerseits Gates hergestellt werden, die entlang des Außenrandes der Ringe verlaufen und so eine Steuerung des äußeren Ringdurchmessers ermöglichen. Andererseits können mit derselben Methode Punktkontakte über Ringeingang und -ausgang präpariert werden, die zur Steuerung der den Ring durchlaufenden elektronischen Moden dienen.
An derart hergestellten Ringstrukturen mit Außendurchmessern zwischen 1 µm und 2 µm wurde der Aharonov-Bohm-Effekt im Temperaturbereich zwischen 56 mK und 10 K untersucht und daraus Informationen über Transportgrößen wie z.B. die Phasenkohärenzlänge gewonnen.