Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.22: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Untersuchung von kurzreichweitigen Ordnungsphänomenen in (AlGa)As mittels Cross-Sectional STM — •A.J. Heinrich1, M. Wenderoth1, T.C.G. Reusch1, K.J. Engel1, K. Sauthoff1, R.G. Ulbrich1, E.R. Weber2 und K. Uchida3 — 14. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 2Dep. Mat. Sci., Universtity of California, Berkeley — 3Tsukuba National Lab., Tsukuba, Japan
Die Aluminiumverteilung von Al0.15Ga0.85As/GaAs Heterostrukturen, hergestellt mit Metall Organischer Gasphasen Epitaxie (MOVPE), wurde mit Hilfe der UHV-Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie an der im UHV senkrecht zur Grenzfläche gespaltenen Probe untersucht. Charakteristische Kontraste in der atomar aufgelösten STM-Topographie wurden als einzelne Al-Atome und Al-Cluster identifiziert. Auf Basis dieser Analyse wurden die STM-Daten in 20nm x 20nm Karten der atomaren Positionen (Atomkarte) übertragen. Diese experimentell gefundenen Atomkarten wurden mit der Simulation einer binomialen Al-Verteilung verglichen. Dabei zeigten sich statistisch signifikante Abweichungen in den n-te Nachbar-Korrelationsfunktionen. Wir erklären diese Abweichungen mit der klaren Tendenz der Al-Atome, beim MOVPE-Wachstum kurzreichweitige geordnete Strukturen zu bilden. Diesen Effekt beobachten wir in Form von Al-Ketten, die eine Länge von bis zu 5 Al Atomen in niederindizierten kristallographischen Richtungen haben.