Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.23: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Übergang von Poole-Frenkel-Emission zu phononenunterstützter Tunnelionisation tiefer Störstellen in Halbleitern — •E. Ziemann1, S.D. Ganichev1,2, H. Ketterl1, and W. Prettl1 — 1Institut f. Experimentelle u. Angewandte Physik, Universität Regensburg, D 93040 Regensburg — 2A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of the Sciences, St. Petersburg, 194021, Russia
Die Ionisation tiefer geladener Störstellen in Halbleitern im elektrischen Feld wird gewöhnlich durch den Poole-Frenkel-Effekt erklärt. Hier wird gezeigt, daß die charakteristische Feldabhängigkeit des Poole-Frenkel-Effekts nur bei genügend kleinen Feldstärken beobachtet werden kann. Bei höheren elektrischen Feldern dominiert die phononenunterstütze Tunnelionisation und überlagert die feldstimulierte thermische Poole-Frenkel-Emission. Die Ladung der Störstelle führt zu einer Vergrößerung der Tunnelwahrscheinlichkeit durch die Erniedrigung der Tunnelbarriere. Im Experiment an geladenen Störstellen (Ge:Hg, Ge:Cu) im Terahertzfeld der Strahlung eines leistungsstarken FIR-Lasers werden beide Effekte sowie der Übergangsbereich beobachtet. Die experimentellen Bedingungen (Temperatur, Laserfrequenz) wurden so gewählt, daß das Terahertzfeld wie ein statisches elektrisches Feld wirkt. Die Untersuchung von DX-Zentren in AlGaAs:Te und AlGaSb:Te dagegen zeigt im gesamten Feldstärkebereich von 100 V/cm bis 105 V/cm nur phononenunterstützte Tunnelionisation.