Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.56: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Charakterisierung von InP/(GaIn)P Quantenpunkt-Systemen mittels Mikro-PL — •P. G. Blome¹, U. Kops¹, R. G. Ulbrich¹, A. Ruf² und F. Scholz² — ¹IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²4. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Beim Aufwachsen von InP auf GaInP mittels MOVPE kommt es aufgrund der hohen Verspannungen zum Stranski-Krastanov (SK) Wachstum. Dabei entstehen einige nm große Quantenpunkte und der sog. Wettinglayer.
Mit einem hochauflösenden konfokalen Mikroskop (Auflösung ca. 500 nm) haben wir die opischen Eigenschaften sowohl der SK-Quantenpunkte als auch des Wettinglayers untersucht. Photolumineszenz(PL)-Messungen von individuell abgebildeten SK-Quantenpunkten zeigen gleichzeitig mehrere Energieniveaus. Diese Spektren werden mit theoretischen Vorhersagen [1] verglichen.
Die Lumineszenzbande des Wettinglayers zerfällt durch die hohe räumliche Auflösung in einzelne Linien, die ihren Ursprung in Ladungsträgerlokalisierungen haben, wie man sie von Dickenfluktuationen an Quantentrögen kennt. Durch Variation eines angelegten Magnetfeldes (bis 14 T) und der Temperatur(3-60 K) während der PL-Messungen können wir qualitative Aussagen über die Struktur dieser zusätzlichen Quantenpunkte machen. Der Vergleich der Spektren an verschiedenen Orten erlaubt Aussagen über ihre Verteilung.

[1] C. Pryor et al., Phys. Rev. B 56(16), 10404 (1981) Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gefördert.