Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.70: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Einfluß von Verspannungen auf gitterdynamische und dielektrische Eigenschaften von hexagonalem GaN und AlN — •Jan-Martin Wagner und Friedhelm Bechstedt — Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Max-Wien-Platz 1, D–07743 Jena

In einer parameterfreien Berechnung der gitterdynamischen und der dielektrischen Eigenschaften von GaN und AlN mit Hilfe der Dichtefunktionalstörungstheorie untersuchen wir die Abhängigkeit der Bornschen effektiven Ladung, der dielektrischen Konstanten und der Phononenfrequenzen von uni- und biaxialer Verspannung sowie das Verhalten unter hydrostatischem Druck. Durch die Vorgabe der a- bzw. c-Gitterkonstanten und anschließender Minimierung der Gesamtenergie durch die Variation sowohl der jeweils anderen Gitterkonstanten als auch des internen Parameters u wird die Geometrie im Verspannungszustand bestimmt. Aus der Kombination mit den Berechnungen der Druckabhängigkeit können die elastischen Konstanten c₃₃, c₁₃ sowie (c₁₁+c₁₂) bestimmt werden. Die kompressive biaxiale Verspannung führt im GaN zu einem Anstieg der A₁(LO)-Frequenz, in Übereinstimmung mit neueren Raman-Messungen. Ferner zeigt sich, daß diese Mode stark von dem internen Parameter u abhängt. Wir geben die Deformationspotentiale der Phononenmoden an und diskutieren den Einfluß der inneren Verschiebung.