Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.98: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronen Transistoren — •R. Augke, W. Eberhardt, S. Strähle, F.E. Prins und D.P. Kern — Institut für Angewandte Physik, Universität Tübingen

Es wurden Einzelelektronen Transistoren (SET) aus Silizium hergestellt und deren elektrische Eigenschaften charakterisiert. Die Bauelemenete wurden in die homogen über den Metall-Isolator Übergang dotierte oberste Silizium Schicht von SOI Substraten strukturiert. Die SETs bestehen aus einem Silizium Quantendot der durch zwei Tunnelbarrieren mit zwei Elektronen Reservoirs verbunden ist. Als Steuerelektrode wurde das SOI Substrat verwendet. Es wurde Coulomb Blockade mit Schwellspannungen von 0.6 Volt bei Temperaturen bis zu bis 150K beobachtet. Als Einflus der Steuerelektrodenspannung wurden Coulomb Blockade Oszillationen im Strom bei 4.2K beobachtet. Das beobachtete Verhalten kann nicht mit einer einzelnen Siliziuminsel in den SETs erklärt werden. Trotz der strukturierten geometrischen Form eines Quantenpunktes und zweier Tunnelbarrieren mus das Vorhandensein mehrerer Inseln und Tunnelbarrieren angenommen werden um das elektrische Verhalten zu erklären.