Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

HL 24.12: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:45–18:00, BOT

Struktur innerer Halbleiter-Grenzflächen : Präparation durch hochselektives Ätzen und Untersuchung mittels Rasterkraftmikroskopie — •Siegfried Nau, Georg Bernatz, Rasmus Rettig und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik
Philipps-Universität Marburg

Die Struktur innerer Grenzflächen ist von fundamentaler Bedeutung, sowohl für das Verständnis von Wachstumsprozessen, als auch für die physikalischen Eigenschaften von Halbleiter-Heterostrukturen und Bauelementen. Bei der vorgestellten Methode werden innere Grenzflächen mittels hochselektivem Ätzen freigelegt und mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie untersucht. Für die Materialsysteme (GaIn)As/InP und (GaIn)P/GaAs wurde der Einsatz bereits demonstriert. Sie konnte nun auf das Materialsystem (AlGa)As/GaAs erweitert werden.

Die Methode wird vorgestellt an (AlGa)As/GaAs-Potentialtopfstrukturen, die mit MOVPE abgeschieden wurden. Es werden Strukturänderungen von inneren GaAs-Grenzflächen in Abhängigkeit von den Wachstumsbedingungen gezeigt. Zudem unterscheidet sich die Struktur einer GaAs-Oberfläche (Deckschicht) stark von der einer inneren Grenzfläche. Es kann also im allgemeinen nicht von der Struktur einer Oberfläche auf die einer inneren Grenzfläche geschlossen werden.