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HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

HL 24.8: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 16:45–17:00, BOT

MOVPE und Charakterisierung antimonhaltiger III-V Verbindungshalbleiter für IR-Emitter — •J. Kluth, A. Behres und K. Heime — Institut f r Halbleitertechnik, RWTH-Aachen

Antimonhaltige III-V-Halbleiter eignen sich wegen ihrer geringen Energielücke als aktive Schicht f r Leuchtdioden und Laser im Wellenlängenbereich von 3-5 µm für die Umwelt- und Medizintechnik. Von besonderem Interesse sind verspannte und unverspannte Multi-Quantum-Wells, die unerwünschte Auger-Rekombinationen unterdrücken. Es wurden dicke gitterangepaßte quaternäre InAsPSb-Schichten sowie InAs/InAsSb- und InAsPSb/AnAsSb-Multi-Quantum-Wells auf InAs-Substrat abgeschieden. Die strukturellen und optischen Eigenschaften der Bulk-Schichten und Übergitter wurden durch Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz charakterisiert. Insbesondere wurde der Einfluß des Sb-Gehalts in den Töpfen der Multi-Quantum-Wells auf die emittierte Wellenlänge untersucht. Durch Simulation der gemesssenen Rockingkurven konnten die kristalline Qualität und die Zusammensetzungen der einzelnen Schichten ermittelt werden.