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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

Wednesday, March 24, 1999, 15:00–18:00, BOT

15:00 HL 24.1 Bestimmung der Gleichgewichtskonzentration und Diffusionskonstante von Arsen-Eigenzwischengitteratomen mittels Schwefeleindiffusion in GaAs. — •R.F. Scholz, P. Werner, U. Gösele und N. Engler
15:15 HL 24.2 Ex-situ spektroskopische Ellipsometrie an Low-Temperature (LT) GaAs — •Susanne Nassauer, B. Rheinlaender und P. Kordos
15:30 HL 24.3 Dielektrische Funktion von ultraduennen InAs-Schichten in GaAs — •Alexander Kasic, H. Schmidt, S. Nassauer, B. Rheinlaender und V. Gottschalch
15:45 HL 24.4 Untersuchung von Punktdefekten auf InAs(110) mittels dynamischer Rasterkraftmikroskopie im UHV bei tiefen Temperaturen — •Schwarz Alexander, Wolf Allers, Udo D. Schwarz und Roland Wiesendanger
16:00 HL 24.5 Near-band gap CuPt order-birefringence in AlxGa1−xInP (0<x<1) — •Mathias Schubert, Tino Hofmann, Bernd Rheinländer, Ines Pietzonka, Torsten Saß, and Volker Gottschalch
16:15 HL 24.6 Orts- und zeitaufgelöste Lumineszenzuntersuchungen an III-V-Halbleiterstrukturen — •Thomas Held, Matthias Wellhöfer, Wolfram Ibach, Olaf Hollricher und Othmar Marti
16:30 HL 24.7 Intensitätsunabhängige bistabile Polarisationsdetektoren auf der Basis von geordnetem GaInP — •T. Kippenberg, J. Krauß, J. Spieler, P. Kiesel, M. Moser, E. Greger und G.H. Döhler
16:45 HL 24.8 MOVPE und Charakterisierung antimonhaltiger III-V Verbindungshalbleiter für IR-Emitter — •J. Kluth, A. Behres und K. Heime
17:00 HL 24.9 Optimierung von pin-Photodioden durch Verwendung fokussierter Ionenstrahlimplantation — •Martin Ruff, Jörg Koch, Peter Kiesel, Andreas D. Wieck und Gottfried H. Döhler
17:15 HL 24.10 Anomale Phononstrukturen im Ramanspektrum von GaP mit kontrolliertem Isotopengehalt — •F. Widulle, T. Ruf, E. Schönherr und M. Cardona
17:30 HL 24.11 Optisch Detektierte Magnetische Resonanz an AlSb/AlAs Multi-Quantenwells — •M. W. Bayerl, M. S. Brandt, M. Stutzmann, E. R. Glaser und B. R. Bennett
17:45 HL 24.12 Struktur innerer Halbleiter-Grenzflächen : Präparation durch hochselektives Ätzen und Untersuchung mittels Rasterkraftmikroskopie — •Siegfried Nau, Georg Bernatz, Rasmus Rettig und Wolfgang Stolz
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