Münster 1999 –
            
              wissenschaftliches Programm
            
          
        
        
        
        
        
      
      
  
    
  
  HL 25: Si/Ge
  Mittwoch, 24. März 1999, 15:00–17:30, H2
  
    
  
  
    
      
        
          
            
              |  | 15:00 | HL 25.1 | Gibt es eine Biphononenbande in Kupferoxydul ? — •M. Göppert, V.M. Burlakov, R. Becker, A. Jolk, A. Dinger, M. Jörger und C.F. Klingshirn | 
        
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              |  | 15:15 | HL 25.2 | Spannungsrelaxation von Si1−xGex/Si Heterostrukturen induziert durch Wasserstoffimplantation — •St. Rongen, B. Holländer, J. Kuchenbecker, H.J. Herzog, H. Kibbel und S. Mantl | 
        
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              |  | 15:30 | HL 25.3 | Herstellung von epitaktischen Ge/Si/CoSi2/Si-Heterostrukturen — •S. Fray, L. Kappius, H. Bay, S. Mesters und S. Mantl | 
        
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              |  | 15:45 | HL 25.4 | Surfactant modifizierte Epitaxie von relaxierten Ge1−xSix/Si-Filmen auf Si — •M. Kammler, K.R. Hofmann, A.A. AlFalou und M. Horn-von Hoegen | 
        
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              |  | 16:00 | HL 25.5 | Ausdiffusionsexperimente von Zn in Si zur Bestimmung des Leerstellenanteils an der Si-Selbstdiffusion — •A. Giese, H. Bracht, J.T. Walton und N.A. Stolwijk | 
        
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              |  | 16:15 | HL 25.6 | Mechanismen der Diffusion von Gold in bordotiertem Silicium — •A. Rodriguez Schachtrup, H. Bracht und H. Mehrer | 
        
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              |  | 16:30 | HL 25.7 | Anwendung der klassischen Nukleationstheorie auf die Dichte von Ge/Si-Clustern auf Si(100) — •Michael Hohage | 
        
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              |  | 16:45 | HL 25.8 | Mechanische Spannungen und Abbau der Misfit-Verzerrung von Ge/Si(111) — •J. Walz, A. Greuer, G. Wedler, T. Hesjedal, E. Chilla und R. Koch | 
        
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              |  | 17:00 | HL 25.9 | 1,54 µm-Lumineszenz von Er in SiGe(O)- und Si1−yCy-Legierungsschichten — •M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, A. Luigart, K. Brunner, G. Abstreiter, U. Breuer und Ch. Buchal | 
        
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              |  | 17:15 | HL 25.10 | Spektroskopische Ellipsometrie in der Charakterisierung von porösem Si — •U. Rossow, U. Frotscher und W. Richter | 
        
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