Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 26: II-VI Halbleiter
HL 26.12: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 17:45–18:00, H4
Optimierung von ZnCdSe Quantentr'ogen f'ur II-VI Laserdioden — •Thomas Seedorf1, Karl-Heinz Leonardi1, Volker Großmann1, Detlef Hommel1, Markus Cornelißen2 und Hartmut Selke2 — 1Universit'at Bremen , Institut f'ur Festkörperphysik , Kufsteiner Str. NW I , 28359 Bremen — 2Universit'at Bremen , Institut f'ur Werkstoffphysik und Strukturforschung , Kufsteiner Str. NW I , 28359 Bremen
ZnCdSe/ZnSSe Einfach-Quantentr'oge wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) sowie mittels migration enhanced epitaxy (MEE) gewachsen. Die Optimierung der Wachstumsparameter erfolgte dabei im Hinblick auf eine Minimierung der Grenzfl'achenrauhigkeiten und Zusammensetzungsfluktuationen. Dazu wurden die Proben mit Photolumineszenz (PL) , hochaufl'osender R'ontgenbeugung (HRXRD) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Es zeigte sich , daß der Cd-Einbau beim MEE Wachstum geringer ist als beim MBE Wachstum ; m'ogliche Ursachen hierf'ur werden diskutiert . In der PL wurden f'ur mit MEE gewachsene Proben mit Cd-Gehalten von 18 % Halbwertsbreiten der Lumineszenz von 10 meV gemessen.