Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: GaN I

HL 3.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 11:00–11:15, H2

Molekularstrahlepitaxie von c-InxGa1-xN/GaN/GaAs(001)
Heterostrukturen mit variablem In-Gehalt. — •Thomas Frey, Martin Bartels, Donat Josef As, Detlef Schikora und Klaus Lischka — Universität GH Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Str. 100, D-33095 Paderborn

Wir berichten über die rf-plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie von c-InxGa1-xN auf GaN/GaAs(001) mit variablem In-Gehalt.
(0<x<0.37). Die Mischkristallzusammensetzung wurde mittels hochauflösender Röntgenbeugung unter Annahme der Gültigkeit der Vegardschen Regel ermittelt. Tieftemperaturphotolumineszenzmessungen zeigen eine Rotverschiebung des Signals mit steigendem In-Gehalt entsprechend einem Bowingparameter von 3.8eV (0<x<0.1). Exzitonische Übergänge in InxGa1-xN wurden anhand von intensitätsabhängigen Lumineszenzmessungen nachgewiesen. Weiterhin zeigen die InxGa1-xN-Schichten mit steigender In-Konzentration ein Entmischungsverhalten, was sowohl anhand von zunehmenden Halbwertsbreiten der Lumineszenzbanden als auch der Röntgensignale meßbar ist. Basierend auf den optimierten Wachstumsparametern wurden erste InxGa1-xN/GaN/-Quantentrogstrukturen hergestellt und optisch wie auch strukturell charakterisiert.