Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 30: Epitaxie
HL 30.5: Vortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 11:30–11:45, H3
In-situ Grenzflächendiagnostik und Dotierungsmessung für die MOVPE — •K. Haberland1, A. Bhattacharya2, M. Pristovsek1, P. Kurpas2, M. Weyers2, J.-T. Zettler1 und W. Richter1 — 1Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Rudower Chaussee 5, D-12489 Berlin
Um den Wachstumsprozeß während der Metallorganischen Gasphasen Epitaxie (MOVPE) in Echtzeit in-situ überwachen zu können, haben wir einen speziellen spektroskopischen Aufbau entwickelt. Das kombinierte Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS)/Reflexions-System detektiert neben der Reflektivität auch die Reflexionsanisotropie der Probe mit einer Zeitauflösung von etwa dreißig Sekunden pro Spektrum und ist auch für Messungen an kommerziellen Epitaxie-Reaktoren mit rotierenden Suszeptoren optimiert.
Mittels dieses Meßsystems wurde der komplette Wachstumsprozeß eines GaAs/InGaP-Heterobipolar-Transistors (HBT) in einem AIX-200-Reaktor vollständig erfaßt. Abweichungen vom Soll-Prozeß z.B. bezüglich Basis- und Emitterdotierung, Schichtdicke und InGaP-Komposition wurden vom Sensorsystem empfindlich registriert.
Wir zeigen hier nun weitere Ergebnisse, die während des Wachstums von AlInP-Laserstrukturen und AlAs/AlGaAs-Bragg-Reflektoren mittels des optischen in-situ-Sensors gewonnen wurden. An Hand der AlAs/GaAs-Grenzfläche diskutieren wir den Einfluß von vergrabenen III/V-Heterogrenzflächen auf die Anisotropie-Signatur. Daraus werden auch Rückschlüsse auf die morphologischen und elektronischen Eigenschaften der Grenzfläche möglich.