|  | 10:30 | HL 31.1 | AlxGa1−xAs - Oxidaperturen in Halbleiterlaserdioden für den roten Spektralbereich — •S. Schmid, J. Schwarz, W. Wagner, R. Butendeich und H. Schweizer | 
        
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              |  | 10:45 | HL 31.2 | Lumineszenz und der Übergang zur Laseremission bei VCSEL für 755 nm und 670 nm — •Jochen Schwarz, R. Butendeich, F. Scholz und H. Schweizer | 
        
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              |  | 11:00 | HL 31.3 | Halbleiterlaser mit neuer externer Resonatorgeometrie zur spektralen Abstimmung — •J. Struckmeier, A. Euteneuer, B. Smarsly und M. Hofmann | 
        
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              |  | 11:15 | HL 31.4 | GaInAs/AlGaAs Quantenpunktlaser mit verbesserten Lasereigenschaften — •F. Schäfer, F. Klopf, J. P. Reithmaier und A. Forchel | 
        
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              |  | 11:30 | HL 31.5 | Komplex gekoppelte DFB-Laser für den 1,55 µm Wellenlängenbereich hergestellt mit fokussierter Ionenstrahltechnologie — •H. König, S. Rennon, J. P. Reithmaier, A. Forchel, J. L. Gentner und L. Goldstein | 
        
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              |  | 11:45 | HL 31.6 | Optische Degradation von Be-haltigen II-VI grünen Laserdioden bei unterschiedlicher Photonenenergien — •R. Vogelgesang, J. Liang, A. Groß, V. Wagner, H.J. Lugauer, L. Worschech, J. Geurts, A. Waag und G. Landwehr | 
        
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              |  | 12:00 | HL 31.7 | Laterale Metallgitter - ein vielseitig einsetzbares Konzept zur Herstellung von verstärkungsgekoppelten DFB Lasern — •Thomas Happ, Frank Schäfer, Stephan Harms, Jürgen Hofmann, Martin Kamp, Johann-Peter Reithmaier, Alfred Forchel, Daniel Rondi, Jean-Lou Guyaux, Eddy Chirlias, Jean Ricciardi, Jean-Charles Renaud und Sebastian Lourdudoss | 
        
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              |  | 12:15 | HL 31.8 | Untersuchung von verstärkungsgekoppelten DFB-Lasern basierend auf Quantendots- bzw. eines Quantenfilms als aktive Schicht — •Jürgen Hofmann, Markus Schmitt, Martin Kamp, Frank Schäfer, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel | 
        
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              |  | 12:30 | HL 31.9 | Wellenlängenadjustierbare monomodige Laserdioden mit Oberflächenmodenkopplung — •P.O. Kellermann, N. Finger, W. Schrenk, E. Gornik, H. Schweizer und F. Scholz | 
        
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              |  | 12:45 | HL 31.10 | Antimonhaltige Typ I und Typ II Halbleiterlaser für den 2 µm Bereich — •T. Bleuel, J. Koeth, M. Brockhaus und A. Forchel | 
        
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