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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Halbleiterlaser I

HL 31.7: Talk

Thursday, March 25, 1999, 12:00–12:15, H4

Laterale Metallgitter - ein vielseitig einsetzbares Konzept zur Herstellung von verstärkungsgekoppelten DFB Lasern — •Thomas Happ1, Frank Schäfer1, Stephan Harms1, Jürgen Hofmann1, Martin Kamp1, Johann-Peter Reithmaier1, Alfred Forchel1, Daniel Rondi2, Jean-Lou Guyaux2, Eddy Chirlias2, Jean Ricciardi2, Jean-Charles Renaud2 und Sebastian Lourdudoss31Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2Thomson-CSF/LCR, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay, France — 3Department of Electronics, KTH, Electrum, 16440 Kista, Sweden

Das Konzept lateral neben dem Rippenwellenleiter angeordneter Metallgitter erlaubt die Fabrikation von verstärkungsgekoppelten DFB Lasern ohne aufwendige Überwachsschritte. Durch den Überlapp des evaneszenten Wellenfeldes mit dem Metallgitter ergibt sich eine komplexe Kopplung, welche über die relative Lage der Gitter zum Wellenleiter einstellbar ist. Zur Herstellung wird zunächst der Rippenwellenleiter durch optische Lithographie definiert und mit einem dem jeweiligen Materialsystem angepaßten Prozeß in den Halbleiter geätzt. Die Gitter 1. Ordnung werden mittels hochauflösender Elektronenstrahllithographie auf PMMA belichtet und durch einen Lift-Off Prozeß auf das aufgedampfte Metall übertragen.
Diese Methode wird für GaAs/AlGaAs (800 nm Emmissionswellenlänge), InGaAs/AlGaAs (980 nm), InGaAsP/GaAs (980 nm) sowie InGaAsP/InP (1550 nm) Laserstrukturen demonstriert und liefert stabile monomodige Emmission mit hoher Seitenmodenunterdrückung.

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