Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 11:00–11:15, H3

Einstellung der Schwellenspannung von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren durch Ätzen — •Dirk Kähler¹, C. Metzner², U. Kunze¹, C. Wölk³ und R. Deufel³ — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum — ²Institut für Technische Physik, Friedrich Alexander Universität Erlangen — ³Daimler-Benz Forschungszentrum Ulm

Die Schwellenspannung von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren (MODFET) wird üblicherweise durch die Ätztiefe des Gatebereiches (Recess) eingestellt. Bei einem konventionell aufgebauten MODFET kann die Schwellenspannung dadurch jedoch nur erhöht werden. Das hier vorgestellte Konzept des schichtkompensierten MODFET erlaubt hingegen auch eine Absenkung, die verbunden ist mit einer Erhöhung der Elektronendichte bei gleicher Gatespannung. Erreicht wird dies durch eine p-Dotierung der normalerweise n-Typ oder nicht dotierten GaAs-Deckschicht.