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HL: Halbleiterphysik

HL 40: GaN III

HL 40.2: Talk

Friday, March 26, 1999, 09:45–10:00, H2

Temperaturabhängigkeit der E₂- und A₁(LO)-Phononen in GaN- und AlN-Schichten — •A. Link¹, W. Limmer¹, K. Bitzer¹, Ch. Kirchner², A. Pelzmann², M. Kamp², D. Ebling³, L. Steinke³, K.W. Benz³ und R. Sauer¹ — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm — ²Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm — ³Freiburger Materialforschungszentrum, Albert-Ludwigs-Universität, Stefan-Meier-Straße 21, D-79104 Freiburg

Die Frequenzen und Dämpfungen der E₂- und A₁(LO)-Phononen in MOVPE-gewachsenen GaN- und MBE-gewachsenen AlN-Schichten wurden mittels Ramanspektroskopie im Temperaturbereich von 85 K bis 760 K gemessen. Untersucht wurden zwei 2 µm dicke GaN-Schichten (undotiert und Si-dotiert) auf Saphir-Substrat und zwei nominell undotierte 0,5 µm dicke AlN-Schichten auf Saphir- und SiC-Substrat. Die experimentell bestimmten Frequenzen und Dämpfungen lassen sich sehr gut mit einem theoretischen Modell beschreiben, bei dem die thermische Gitterausdehnung, der Zerfall in niederfrequente Phononen und der Einfluß der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und Schicht berücksichtigt werden.