Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 41.3: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:30–11:45, H2

Oberflächenbandstruktur von (2x4)- und (2x1)- rekonstruiertem InP(001) — •A.M. Frisch¹, P. Vogt¹, K. Knorr^1,2, T. Hannappel², S. Visbeck², W.G. Schmidt³, N. Esser¹ und W. Richter¹ — ¹TU Berlin, Institut für Festkörperphysik — ²Hahn-Meitner-Institut, Berlin — ³NCSU, Dept. of Physics, Rayleigh, USA

Die Oberflächenbandstruktur von MOVPE gewachsenen InP(001) (2x1) und (2x4) rekonstruierten Oberflächen wurde mittels Photoemissionsspektroskopie (PES) an der TGM2-Beamline bei BESSY I untersucht (Winkelauflösung = 2^∘, Energieauflösung 150 meV bei 25 eV). Die Proben wurden direkt nach dem Wachstum in eine transportable UHV- Kammer eingeschleust und in die PES-Kammer transferiert. Die phosphorreichere der beiden Rekonstruktionen, d.h.(2x1), wurde durch schrittweises Heizen bis 380^∘ C in die (2x4) Rekonstruktion überführt. Das Auftreten weiterer Rekonstruktionen konnte dabei nicht beobachtet werden. Energie- und winkelaufgelöste PES-Messungen entlang den Γ-J’ und Γ-J Richtungen der Oberflächenbrillouinzone zeigen deutliche Unterschiede hinsichtlich der Resonanzen von Volumenstrukturen und der Oberflächenbänder. Beide Oberflächen wurden zusätzlich mit Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) untersucht. Die RAS-Spektren weisen für beide Rekonstruktionen charakteristische, deutlich unterschiedliche Linienformen auf. Die Korrelation mit der Oberflächenbandstruktur wird durch Vergleich mit LDA-DFT-Rechnungen und daraus abgeleiteten optischen Eigenschaften und den PES-Daten diskutiert.