Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 42: Elektronentheorie
HL 42.4: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 13:15–13:30, H2
Ab initio Berechnung der elektronischen und strukturellen Eigenschaften der Platinsilizide — •O. Beckstein1, J.E. Klepeis2 und O. Pankratov1 — 1Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen — 2Lawrence Livermore National Laboratory
PtSi auf p-Silizium bildet einen Schottkykontakt mit geringer Barrierenhöhe von ca. 230 meV, der zum Aufbau eines Infrarotdetektors genutzt werden kann [1]. Bisher gab es allerdings nur eine semiempirische Berechnung der Volumenzustandsdichten von PtSi und Pt2Si [2]. Ab initio Rechnungen sowohl für das Volumen als auch die PtxSi/Si Grenzschicht fehlten. Für Anwendungen ist aber eine gute Kenntnis der Zustandsdichten, der atomaren Geometrie und der optischen Eigenschaften nötig. Wir präsentieren hier die aus full potential LMTO Rechnungen gewonnenen Ergebnisse für tetragonales α-Pt2Si und orthorombisches PtSi. Relaxation der Kristallstrukturen mit Hilfe der ab initio Kräfte ergibt für die beiden untersuchten Silizide jeweils dieselbe Geometrie der Einheitszelle, die auch durch röntgenkristallographische Methoden gefunden wird. Wir geben die Bandstrukturen und Zustandsdichten für die beiden metallischen Silizide an. Die Zustandsdichte des Pt2Si zeigt eine ausgeprägte Spitze wenig oberhalb der Fermienergie, die von den 5d und 6s Orbitalen der Pt-Atome stammt; diese Besonderheit tritt nicht für PtSi auf. Die berechnete Fermifläche des Pt2Si ist stark anisotrop und besteht aus drei Blättern, wovon zwei geschlossen sind und eines offen ist. Wir diskutieren auch die atomare und elektronische Struktur von Platinsilizid Oberflächen und Platinsilizid/Silizium Grenzflächen.
[1] SFB 292 Mehrkomponentige Schichtsysteme, Projektbereich E3
[2] O. Bisi et al., J. Phys. C, 14 (1981), 5479