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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Photovoltaik III

HL 44.2: Talk

Friday, March 26, 1999, 12:30–12:45, H3

Minoritaetsladungstraeger-Rekombination in CuInGaSe2 — •Thomas Unold, Dirk Berkhahn und Gottfried Bauer — Fachbereich Physik, CvO Universitaet Oldenburg

Ueber die Diffusionslaengen und Grenzflaechenrekombination in

CuInSe2 ist erstaunlich wenig bekannt. In der Literatur finden

sich Werte fuer die Diffusionslaengen von 0.5 bis 3 Mikrometer.

Da in CuInSe2 Solarzellen Absorberdicken von typischerweise

2 Mikrometern verwendet werden ist es von Interesse die

Minoritaetsladungstraeger-Eigenschaften besser zu verstehen.

Wir stellen absolute Photolumineszenzmessungen vor mit deren

Hilfe wir Minoritaetsladungstraeger-Profile in CuInGaSe2

berechnen. Durch den systematischen Vergleich von verschiedenen

Schichten und Schichtsystemen, koennen Aussagen ueber die

Diffusionslaengen und Grenz- und Oberflaechen-Rekombinations-

geschwindigkeiten getroffen werden.