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Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 45: Störstellen

Freitag, 26. März 1999, 09:30–12:45, H4

09:30 HL 45.1 Vergleich verschiedener Verfahren zur Berücksichtigung von Gitterverschiebungen in der KKR-Greenschen Funktionsmethode — •A. Settels, Ch. Zecha, N. Papanikolaou, T. Korhonen, R. Zeller, H. Ebert und P.H. Dederichs
09:45 HL 45.2 Diffusion and passivating effect of ion-implanted hydrogen in p-type silicon carbide — •Norbert Achtziger, Christian Hülsen, Wolfgang Witthuhn, M.K. Linnarsson, M. Janson, and B.G. Svensson
10:00 HL 45.3 Einbau von Gruppe I Elementen in CdTe — •S. Lany, T. Filz, J. Hamann, V. Ostheimer, H. Wolf und Th. Wichert
10:15 HL 45.4 Einbau und Komplexbildung von Ag Atomen in CdTe — •V. Ostheimer, A. Burchard, M. Deicher, T. Filz, J. Hamann, S. Lany, H. Wolf, Th. Wichert und ISOLDE-Collaboration
10:30 HL 45.5 Optische Eigenschaften von Wasserstoff-korrelierten Defekten in CdTe — •J. Hamann, D. Blaß, T. Filz, W. Ossau, V. Ostheimer, C. Schmitz, H. Wolf, L. Worschech und Th. Wichert
10:45 HL 45.6 Identifizierung der Photolumineszenz von Akzeptor-Niveaus in II-VI Halbleitern durch Verwendung von radioaktiven Isotopen — •T. Filz, J. Hamann, A. Burchard, M. Deicher, V. Ostheimer, C. Schmitz, F. Strasser, H. Wolf, Th. Wichert und ISOLDE-Collaboration
11:00 HL 45.7 Relaxationseigenschaften des Donators Cd+ in Silizium — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff und Harald Overhof
11:15 HL 45.8 Ein neues paramagnetisches Myonzentrum in kristallinem Silizium — •M. Schefzik, R. Scheuermann, L. Schimmele, A. Seeger, O. Kormann, J. Major und A. Röck
11:30 HL 45.9 DLTS an SiGe-Legierungen dotiert mit Zn und Be — •S. Voß, H. Bracht, N.A. Stolwijk, P. Kringhøj und A. Nylandsted Larsen
11:45 HL 45.10 Jahn-Teller-Effekt des As-VSi-Komplexes: Eine ab initio-Studie — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov
12:00 HL 45.11 Einfluß von Gradientenkorrekturen zur LSDA auf die Hyperfeinfelder von 3d-Übergangsmetallstörstellen in GaN — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof
12:15 HL 45.12 Leitungselektronen in β-Ga2O3: ESR- und Doppelresonanz Experimente — •G. Denninger, L. Binet und D. Gourier
12:30 HL 45.13 Eine neue Methode zur Charakterisierung tiefer Störstellen in LT-GaAs: dünne Schichten aus LT-GaAs in p-i-n Dioden — •K.-F. Pfeiffer, S. Tautz, P. Kiesel, W. Geißelbrecht und G.H. Döhler
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