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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 45: Störstellen

HL 45.4: Talk

Friday, March 26, 1999, 10:15–10:30, H4

Einbau und Komplexbildung von Ag Atomen in CdTe — •V. Ostheimer1, A. Burchard2, M. Deicher2, T. Filz1, J. Hamann1, S. Lany1, H. Wolf1, Th. Wichert1 und ISOLDE-Collaboration31Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 2Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — 3PPE- ISOLDE, CERN, CH-1211 Genf 23

Ag Atome können in CdTe als Akzeptoren oder als Donatoren eingebaut werden je nachdem, ob sie substitutionelle oder interstitielle Gitterplätze einnehmen. Der Einbau von Ag und dessen Wechselwirkung mit Defekten wurde nach Implantation von 111Ag in CdTe mit der Methode der gestörten γγ-Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Neben undotierten CdTe Kristallen wurden Kristalle untersucht, die mit den Donatoren Br oder In sowie mit dem Akzeptor Sb dotiert worden waren. Die PAC Messungen ergeben, dass sich in undotiertem CdTe nach Tempern unter Cd-Atmossphäre ein Defektkomplex bildet, der auf die Paarbildung von 111Ag mit einer Te-Leerstelle VTe zurückgeführt wird. In CdTe:Br und CdTe:In bilden sich nach Tempern jeweils spezifische 111Ag-Defekt Komplexe, die 111AgCd-BrTe bzw. 111AgCd-InCd Paaren zugeordnet werden. Dagegen gibt es in CdTe:Sb keine Hinweise für die Bildung von Agi-SbTe Donator-Akzeptor Paaren; vielmehr wird der gleiche Defektkomplex wie in undotiertem CdTe beobachtet. In CdTe Kristallen, die zusätzlich mit stabilem Ag dotiert worden waren ([Ag] > 1019 cm−3), werden neue Defektkomplexe beobachtet, für die als Ursache die Bildung von Agi-AgCd Paaren diskutiert wird.
Gefördert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA.

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