Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 49: Postdeadline IV
HL 49.1: Talk
Friday, March 26, 1999, 12:45–13:00, H4
Kathodolumineszenz- und Raman-Untersuchungen an lateral epitaktisch überwachsenden (ELO) GaN-Strukturen — •Frank Bertram1, T. Riemann1, D. Rudloff1, P. Veit1, J. Christen1, A. Kaschner2, A. Hoffmann2 und K. Hiramatsu3 — 1Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — 2Inst. f. FK-Physik, Techn. Uni. Berlin — 3Dep. of Engineering,Mie Uni., Japan
Wir berichten über eine systematische Charakterisierung
unterschiedlicher lateral epitaktisch überwachsender
GaN-Strukturen (ELOG) mittels
Rasterkathodolumineszenz-Mikroskopie (CL) und
µ-Raman-Spektroskopie.
Auf einem (0001)-Saphir-Substrat wurde durch MOCVD auf einer
AlN-Pufferschicht eine 2µm dicke GaN-Epischicht gewachsen,
mit SiO2-Masken strukturiert und abschließend mit
HVPE-GaN überwachsen. Verschiedene Streifengeometrien und
-orientierungen wurden untersucht. Für die
<1120>-Orientierung tritt eine {1101}-Facettierung auf.
An den Koaleszenzstellen tritt eine starke Rotverschiebung
der CL auf, deren extrinsicher Charakter durch µ-Raman bestätigt
wird. Über den offenen Streifen bilden sich selbstlimitierte
dreieckige Wachstumsprismen aus, die eine extrem scharfe exzitonische
Lumineszenz korreliert mit niedriger Störstellenkonzentration
zeigen.
In <1100>-Orientierung tritt ein vollständiges Überwachsen
der SiO2-Streifen und Oberflächenglättung auf.