Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 8: Transporteigenschaften
HL 8.8: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 17:45–18:00, H2
Elektrolumineszenz von InAs / InAsSb PIN-Dioden mit ferromagnetischen Kontakten — •G. Müller1, I. Speier1, G. Schmidt1, L.W. Molenkamp1, A. Behres2, M. Thewalt3 und J. Young4 — 12. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, Templergraben 55, 52056 Aachen — 2Institut für Halbleitertechnik 1, RWTH Aachen, Templergraben 55, 52056 Aachen — 3Department of Physics, Simon Frazer University, 8888 University Drive, Burnaby — 4Department of Physics and Astronomy, University of British Columbia, 6224 Agricultural Road, Vancouver
In der jüngsten Zeit hat das Forschungsgebiet der Magnetoelektronik zunehmend an Bedeutung gewonnen. Ein Teilgebiet von sowohl grundlegendem als auch wirtschaftlichem Interesse stellt hierbei der spinpolarisierte Transport in Ferromagnet-Halbleiter-Hybridstrukturen dar. Zentrales Problem hierbei ist die Injektion spinpolarisierter Elektronen aus dem Ferromagneten in den Halbleiter und der zum Nachweis notwendige Detektionsmechanismus. Wir untersuchen die Polarisation des Elektro- lumineszenz-Signals von Leuchtdioden mit ferromagnetischen Injektor-Kontakten. Auf eine InAs / InAsSb multiple-quantum-well PIN-Diode wurde ein Co-Injektor aufgebracht. In einem externen Magnetfeld wurde die Polarisation des nach Ladungsträger-Rekombination parallel zum B-Feld emitierten Lichtes analysiert. Im Vergleich zu diesen Daten werden Messungen an einer PIN-Diode mit nicht ferromagnetischem Injektor (Cr) vorgestellt.