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M: Metallphysik

M 23: Hauptvortrag (H. Wendt)

M 23.1: Invited Talk

Thursday, March 25, 1999, 15:15–15:45, S 8

Metallphysikalische Probleme in der Mikroelektronik — •H. Wendt und M. Schneegans — Siemens AG, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München

In der Mikroelektronik werden neben reinen Metallen und deren Legierungen Metallsilizide sowie -nitride eingesetzt. Anwendungen finden die Materialien in Verdrahtungsebenen, als Haft- und Kontaktschichten, als Verbindungen zwischen verschiedenen Leitbahnebenen, als Diffusionsbarrieren und als Gate- Elektroden. Der wichtigste Einsatzbereich der Metalle sind die Verdrahtungsebenen und deren Verbindungen. Um eine Metallkontamination des Si durch diese Materialien zu verhindern, werden Diffusionsbarrieren eingesetzt (Metallnitride). Für die Wahl einer geeigneten Barriere ist neben den üblichen Schichtanforderungen eine genaue Kenntnis des Einflusses verschiedener Metalle auf Si-Bauelemente erforderlich. Metallsilizide finden als lokale Verdrahtungsebene und bei der Herstellung niederohmiger Gates Anwendung. In diesem Vortrag sollen Ergebnisse zu verschiedenen wichtigen Phänomenen wie Elektro-, Stressmigration, Barrierenbeständigkeit, Metallkontaminationseffekten, Bondbarkeit etc. präsentiert und wichtige, noch nicht ausreichend verstandene Probleme angesprochen werden.