Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.10: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 18:30–18:45, S2

Zerstörungsfreie Bestimmung von Polytyp und Polarität dünner Siliziumkarbid- und III-Nitrid-Schichten mit Elektronenbeugungsmethoden — •B. Schröter, A. Fissel, M. Kreuzberg und Wo. Richter — Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Verbindungshalbleiter wie SiC, AlN und GaN können in verschiedenen Polytypen, zum Beispiel kubischer oder hexagonaler Struktur, mit unterschiedlichen Eigenschaften kristallisieren. Für dünne Schichten oder Heterostrukturen, wie sie mit MBE- oder CVD-Verfahren gewachsen werden, ist die Kenntnis des Polytyps und gegebenenfalls der Polarität von entscheidender Bedeutung für die gewünschten Eigenschaften. Zur Charakterisierung werden meist zerstörende Methoden wie hochauflösende Transmissions-Elektronenmikroskopie und chemisches Ätzen eingesetzt.

Als zerstörungsfreie Techniken zur Bestimmung von Polytyp und Polarität unserer MBE-Schichten nutzen wir röntgenangeregte Photoelektronenbeugung (XPD) und Elektronen-Channeling-Pattern (ECP). Beide Methoden sind schon für Schichtdicken von etwa 1 nm empfindlich. Nach Auswahl geeigneter Unterscheidungskriterien aus den experimentell bestimmten Beugungsmustern ist eine schnelle Charakterisierung im Fingerprint-Verfahren möglich. Darüberhinaus ermöglicht die Kombination von Rasterelektronenmikroskopie und ECP auch die Bestimmung der lateralen Polytypenverteilung.

(Gefördert durch die DFG im Sonderforschungsbereich 196)