Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.7: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 17:45–18:00, S2

Wachstum von Ge auf Ge(113): Eine Untersuchung mit SPA-LEED und Röntgenbeugung — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz — Institut für Kristallographie und Angewandte Mineralogie der Universität München, Theresienstraße 41, 80333 München

Das Wachstum von Ge auf einer Ge(113) Oberfläche wurde mit oberflächenempfindlicher Röntgenbeugung und hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) in Abhängigkeit der Temperatur des Ge(113)-Substrats untersucht. SPA-LEED Messungen für eine Temperatur von T=450 K zeigten, daß Ge im Submonolagenbereich Inseln bildet während die Fläche bei höheren Bedeckungen zunehmend rauher wird. Bei einer Temperatur von 800 K wächst Ge hingegen gut geordnet in einem Step Flow Modus auf. Aus den Reflexprofilen wurden Inselgrößen und Rauhigkeit der Ge(113)-Fläche in Abhängigkeit der Temperatur bestimmt. Die Rauhigkeit der Fläche während des Schichtwachstums wurde auch in situ mit Röntgenmessungen charakterisiert. Wachstumsexperimente mit einer bleibedeckten Ge(113) Fläche sollten testen ob Pb die Ordnung der Ge-Schichten verbessert, d.h. als Surfactant wirkt. Erste Ergebnisse zeigen, daß Pb das Wachstumsverhalten nur wenig beeinflußt.