Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 10: Epitaxie und Wachstum (I)
O 10.8: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 18:00–18:15, S2
Kohlenstoff induzierte Oberflächenrekonstruktionen auf Siliziumoberflächen — •Friedhelm Scharmann1, Stauden Thomas1, Eichhorn Gerd2 und Pezoldt Jörg1 — 1Institut für Festkörperelektronik, TU Ilmenau, Postfach 100565, 98684 Ilmenau — 2Institut für Festörperelektronik, TU Ilmenau, Postfach 100565, 98684 Ilmenau
Die Wechselwirkung von Kohlenstoff mit Siliziumoberflächen
gewinnt in zunehmendem Maße an Bedeutung auf dem Gebiet der
Epitaxie. Dies gilt im besonderen für die Systeme Si/Ge/C und
Si/SiC/Breitbandhalbleiter. In beiden Fällen sind die ersten
Stadien der Wechselwirkung von entscheidender Bedeutung für die
Qualität der nachfolgenden Abscheidung. Im Falle des Si/Ge/C
Systems soll ein gewünschter Kohlenstoffeinbau erzielt werden,
während im Si/SiC/Breitbandhalbleitersystem eine perfekte
Diffusionsbarriere und ein glattes SiC-Pseudosubstrat angestrebt
wird. Dafür ist eine genaue Kenntnis der an der Oberfläche
ablaufenden Prozesse, in den ersten Stadien der
Si-C-Wechselwirkung, notwendig. Diese wurden unter
MBE-Bedingungen unter Verwendung einer C-Feststoffquelle in einem
Temperaturbereich von 700 bis 1200 K für (100) und (111)
Si-Oberflächen mit Hilfe von in situ RHEED in Echtzeit
untersucht. Es wurde festgestellt, daß die Anlagerung des
Kohlenstoffs zu einem Wechsel der Oberflächenrekonstruktion
der Si-Oberfläche führt. Es werden die unterschiedlichen
Strukturen und ihr Existenzbereich diskutiert.