Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 23: Epitaxie und Wachstum (III)
O 23.6: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 15:45–16:00, S2
XSW-Untersuchungen zum Wachstum von Ge auf CaF2-Schichten nach Modifikation durch Elektronenbeschuß — •J. Wollschläger1, T. Hildebrandt1, R. Kayser1, A. Klust1, T. Schmidt2, J. Bätjer2 und J. Falta2 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover — 2HASYLAB am DESY, D-2260 Hamburg
CaF2 ist aufgrund seiner geringen Fehlanpassung ein vielversprechender epitaktischer Isolator für Si-Substrate. Für Bauelemente ist es aber nicht nur wichtig, epitaktische Isolatorschichten herzustellen, sondern auch auf diesen Schichten weitere Metall-oder Halbleiterschichten abscheiden zu können. Aufgrund der geringen Oberflächenenergie des CaF2 findet man i.a. jedoch, daß die Adschichten auf CaF2 3D Inseln bilden. Daher wurde vorgeschlagen, CaF2-Schichten durch elektronenstimulierte Desorption von Fluor zu modifizieren, um geschlossene Adschichten herzustellen.[1]
Wir haben mit stehenden Röntgenwellenfeldern (XSW) sowohl die strukturellen Veränderungen von CaF2-Monoschichten durch elektronenstimulierte F-Desorption als auch das Wachstum von Ge auf den so modifizierten Schichten untersucht. Dabei wurden die vertikalen Positionen der unterschiedlichen Elemente durch die Verwendung von Photoelektronen als inelastisches Signal für XSW bestimmt. Die XSW-Ergebnisse sind konsistent mit der Desorption von F aus der Oberflächenlage. Ge wächst auf diesen Schichten bei Raumtemperatur nur mit schlechter Ordnung. Jedoch kann die Qualität der Schichten durch Tempern wesentlich verbessert werden, wie ein drastischer Anstieg der kohärenten Fraktion von Ge, aber auch F zeigt. Hierbei expandiert der Ca-Ge Abstand um 5%.
[1] K.R. Heim et al., J. Appl. Phys. 76 (1994) 8105.