Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 26: Epitaxie und Wachstum (IV)

O 26.2: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 11:30–11:45, S10

Streifende Streuung von schnellen Ionen - eine neue Methode zur Untersuchung von epitaktischem Wachstum — •R. Pfandzelter, T. Igel und H. Winter — Institut für Physik, Humboldt-Universität, 10115 Berlin

Die streifende Streuung von keV-Ionen an Oberflächen liefert statistische Information zur Evolution der Oberflächenmorphologie während des epitaktischen Wachstums von Filmen. Die Methode arbeitet im Ortsraum und in Echtzeit und kann mit Hilfe von klassischen Monte-Carlo-Computersimulationen interpretiert werden [1-3]. Anhand von Experimenten zur Streuung von He⁺-Ionen während der Fe/Fe(100)-Homoepitaxie wird gezeigt, wie für einen weiten Bereich von Temperaturen und Aufdampfraten charakteristische Größen zum Wachstum (Inseldichte, kritische Clustergröße) bestimmt werden können.

[1] T. Igel, R. Pfandzelter, H. Winter, Europhys. Lett. 35, 67 (1996).

[2] R. Pfandzelter, Phys. Rev. B 57, 15496 (1998).

[3] R. Pfandzelter, Surf. Sci., im Druck.

Gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB290.