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Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 26: Epitaxie und Wachstum (IV)

Thursday, March 25, 1999, 11:15–13:00, S10

11:15 O 26.1 Streifenmusterbildung während des homoepitaktischen Wachstums von Cu(001) — •Sebastiaan van Dijken, Louis Jorritsma und Bene Poelsema
11:30 O 26.2 Streifende Streuung von schnellen Ionen - eine neue Methode zur Untersuchung von epitaktischem Wachstum — •R. Pfandzelter, T. Igel und H. Winter
11:45 O 26.3 Beobachtung des Zenon-Effekts beim homoepitaktischen Schichtwachstum — •Thomas Michely, Matthias Kalff, Pavel Smilauer, and George Comsa
12:00 O 26.4 Homoepitaxie und Wasserstoffätzen auf Diamant(100) untersucht mit STM und SPA–LEED — •Felix Schäfer und Ulrich Köhler
12:15 O 26.5 Monte Carlo Simulation des Übergangs von statistischem Wachstum zu Lage-für-Lage-Wachstum auf fcc(111) Flächen — •Joachim Wollschläger und Mats I. Larsson
12:30 O 26.6 Kantendiffusion beim MBE-Wachstum — •S. Schinzer, M. Biehl, M. Kinne und W. Kinzel
12:45 O 26.7 Nichtlineare Depositionsgleichung für Oberflächenwachstum:
Theoretische Analysen und numerische Simulationen
— •Martin Raible, Stefan Linz und Peter Hänggi
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