Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 28: Adsorption an Oberfl
ächen (IV)

O 28.3: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 11:45–12:00, S2

XSW-Untersuchungen der Cl- und F-Adsorption auf Si(111) — •J. Falta, J. Bätjer, T. Schmidt und G. Materlik — HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, 22607 Hamburg

Die Adsorption von F und Cl auf der Si(111)-7×7-Oberfläche wurde mit stehenden Röntgenwellenfeldern (XSW) in Kombination mit Photoelektronenspektroskopie untersucht. Dabei fanden F-1s- und Cl-1s-Photoelektronen als inelastische Signale zur Bestimmung der F- und Cl-Adsorptionsplätze Verwendung. Tempern der F-bedeckten Oberflächen bei 450^∘C bis 500^∘C sowie der Cl-bedeckten Oberflächen bei 600^∘C führt in beiden Fällen zum Verschwinden der 7×7-Oberflächenrekonstruktion. Stattdessen findet sich in LEED-Aufnahmen eine 1×1-Struktur. Die XSW-Resultate zeigen, daß die Adsorption von Cl zur Absättigung der Si-dangling-bonds durch eine Monolage Cl-Atome auf On-top-Plätzen geschieht. Im Fall der Adsorption von F deuten die Ergebnisse auf die Besetzung verschiedener F-Adsorptionsplätze als Folge fortschreitenden Oberflächenätzens hin. Dabei spielt die Einnahme von Zwischengitterplätzen unterhalb der Kristalloberfläche eine Schlüsselrolle.