Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Oberfl
ächenreaktionen (II)

O 33.7: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 17:45–18:00, S1

Anfangsstadien des CVD-Oxidwachstums auf Si(111)-(7x7) und Si(100)-(2x1) — •H. Rauscher, J. Spitzmüller, J. Braun und R. J. Behm — Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Universität Ulm

Häufig verwendet man bei der Gasphasenepitaxie von Siliciumoxid auf Siliciumoberflächen Tetraethoxysilan (TEOS) als Precursorgas. Die Eigenschaften des Oxids hängen wesentlich von der Morphologie und der chemischen Zusammensetzung der Silicium-Siliciumoxidgrenzfläche ab. Wir haben daher für Si(100)-(2x1) und Si(111)-(7x7) atomar aufgelöste STM-Messungen als Funktion der TEOS-Exposition und der Oberflächentemperat= ur mit XPS-Analysen der resultierenden Oberflächenspezies im Temperaturbereic= h von 300 K bis 900 K korreliert. Die Zuordnung der XPS C(1s)- Signale zu verschiedenen Kohlenstoff-Bindungskonfigurationen und der Vergleich ihrer Intensitäten erlaubt die quantitative Identifikation von Reaktionsprodukte= n wie Triethoxysiloxan-, Diethoxysiloxan- und Ethylgruppen auf der Oberfläch= e. Dies führt in Kombination mit den STM-Ergebnissen zu mikroskopischen Modellen für die reaktiven Oberflächenprozesse von der dissoziativen Adsorption von TEOS über erste Ausbildung oxidartiger Strukturen bis hin z= um Wachstum des Oxids auf beiden Si-Oberflächen.=20