Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.13: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Messung von Oberflächenspannung mittels SSIOD — •P. Zahl, P. Kury und M. Horn-von Hoegen — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover

SSIOD (Surface Stress Induced Optical Deflection) erlaubt eine direkte Bestimmung der Änderung der Oberflächenverspannung, wie sie durch Rekonstruktion, Adsorbtion oder heteroepitaktisches Schichtwachstum bedingt ist. Die Oberflächenspannung wird in diesem Experiment über die Verbiegung dünnster Silizium Proben während der Adsorption bzw. des Wachstums gemessen. Durch Verwendung einer differenziellen Lichtzeigeranordnung lassen sich externe Störungen, wie Temperaturdrift und mechanische Schwingungen, kompensieren, wobei noch Krümmungsradien von mehr als 10km nachgewiesen werden können. Damit liegt die Nachweisgrenze im Submonolagenbereich von Adsorbaten. Durch den Einsatz von 50 bzw. 100µm dicken U-förmigen Silizium-Proben wird die Messung bei Temperaturen bis zu 1200^∘C möglich. Dabei wird die von beiden Seiten zugängliche Probe mittels Stromdurchgang geheizt. Die Möglichkeiten dieser Messmethode, die zusammen mit hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) eingesetzt wird, werden an Beispielen zur Adsorption und zum Kristallwachstum demonstriert.