Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.18: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Atomare und elektronische Struktur von epitaktischen PbS-Schichten auf InP(110) und InP(001) — •A.B. Preobrazhenski und T. Chassé — Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikal. & Theor. Chemie, Universität Leipzig

Obwohl die Abscheidung und die Struktur sulfidischer II-VI Halbleiterschichten z.B. CdS und ZnS auf III-V und Si-Substraten in den letzten Jahren umfassend untersucht wurden, gibt es wenige Arbeiten über die Bildung von geordneten IV-VI/III-V Grenzflächen. Wir berichten über die geometrische und elektronische Struktur von epitaktischen PbS/InP(110) und PbS/InP(001) Grenzflächen, die mittels MBE-Technik präpariert und mit XPS, UPS, XPD und LEED untersucht wurden. Reaktivität, Wachstumsmechanismus und Kristallinität der ultradünnen PbS-Schichten wurden studiert, und substratbezogene Unterschiede in der Qualität der Grenzflächen wurden verfolgt. Trotz des Unterschieds im Gittertyp ermöglicht die Ähnlichkeit der Gitterkonstanten von PbS und InP das epitaktische Wachstum von PbS-Schichten auf beiden Substratorientierungen bereits bei Raumtemperatur. Ein mildes Tempern verbessert die Qualität der Schichten deutlich. Die Sulfidschichten wachsen lagenweise mit der PbS(001)-Fläche parallel zu den Substratoberflächen. Auf InP(110) gibt es eine gute Gitteranpassung nur entlang der [1-10] Richtung, wobei entlang der [001] Richtung die Grenzflächenstruktur inkommensurabel ist. Ein Vergleich der elektronischen Bandstruktur der Schichtoberflächen und der (001)-Oberfläche eines PbS-Einkristalls wurde durchgeführt.