Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.23: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Wie funktioniert das Füllen von Kontaktlöchern ? - Untersuchungen mit Molekulardynamik — •Uwe Hansen und Peter Vogl — Physik-Department und Walter Schottky Institut, Technische Universität München,
Am Coulombwall, D-85748 Garching, Germany

Wir modellieren das Wachstum von Al Metallfilmen in Kontaktlöchern und Gräben. Mit einem neu entwickelten Al-Al Modellpotential untersuchen wir Oberflächenreaktionen, die während der Wechselwirkung von atomarem Al mit Al Oberflächen auftreten. Hierzu zählen die Adsorption, die Reflektion und das Herausschlagen von Oberflächenatomen. Mit klassischer Molekulardynamik berechnen wir die entsprechenden Reaktionsraten, die wir dann in einem zellulären Automaten verwenden, um das Metallfilmwachstum auf der µ m Skala zu modellieren. Die von uns berechneten Film Topographien zeigen gute Übereinstimmung mit SEM Bildern.