Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.42: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Hochauflösende Abbildung von Ladungen mit dem Raster-Kraft-Mikroskop — •C. Barth und M. Reichling — Fachbereich Physik, FU Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin

Die Möglichkeiten der Raster-Kraft-Mikroskopie reichen weit über die reine Abbildung der Oberflächentopographie hinaus. Mit der Methode der Kelvin-Sonden-Mikroskopie können, über die Wirkung elektrostatischer Kräfte auf die Spitze, Ladungsverteilungen auf einer Oberfläche abgebildet werden.

Wir stellen hochaufgelöste Messungen an Fluoridoberflächen vor, wobei die Ladungen entweder mittels der Spitze abgesetzt wurden oder sich ohne äußere Einwirkung an Stufenkanten sammelten. Zur Messung ladungsinduzierter Kontraste wurde zwischen der leitfähigen Spitze und der metallisierten Rückseite der isolierenden Probe eine sinusförmig modulierte Spannung angelegt und die erste sowie zweite Harmonische der resultierenden Kraftwirkung auf die Spitze gemessen. Während des Rasterns wurden gleichzeitig die Oberflächentopographie und die modulierten Signale gemessen, wobei die beobachteten Kontraste stark von der angelegten Spannung abhingen. Amplitude und Phase dieser Signale werden qualitativ erklärt und es werden erste Ansätze zu einem quantitativen Verständnis der erhaltenen Bilder präsentiert. Weiterhin wird gezeigt, daß bei angeschaltetem Regelkreis, der den Abstand der Spitze zur Probe konstant hält, die Phase der Signale durch die Regelcharakteristik des Raster-Kraft-Mikroskops und nicht durch Probeneigenschaften bestimmt wird.